Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM048NB06LCR RLG

工場モデル TSM048NB06LCR RLG
メーカー Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
パッケージ 8-PDFN (5.2x5.75)
株式 56902 pcs
データシート TSM045NB06CRTSMxxxNB0x Brief
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$1.372 $1.233 $1.01 $0.86 $0.725
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。56902のTaiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDFN (5.2x5.75)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.8mOhm @ 16A, 10V
電力消費(最大) 3.1W (Ta), 136W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerLDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6253 pF @ 30 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 105 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Ta), 107A (Tc)
基本製品番号 TSM048

おすすめ商品

TSM048NB06LCR RLG データテーブルPDF

データシート